中芯国际40nm工艺的ReRAM存储芯片出样读取速度比

下一代存储芯片领域正经历着技术革新的浪潮，除了备受瞩目的3D XPot芯片外，ReRAM芯片作为非易失性阻变式存储器的代表也崭露头角。这一领域的发展动态在2016年3月掀起新的篇章，当时Crossbar公司宣布与领先的中国半导体制造商中芯国际达成战略合作，共同发力潜力巨大的中国市场。

合作的第一步便是由中芯国际采用其自主的40纳米CMOS工艺进行ReRAM芯片的试生产。近日，这一合作的成果终于落地，中芯国际成功研发并出样了基于40纳米工艺的ReRAM芯片。这款芯片不仅在性能上超越了传统的NAND芯片，更在存储密度、读写速度及耐久性上实现了质的飞跃。

据了解，这款ReRAM芯片的存储密度是DRAM内存的40倍，其读取速度更是快达100倍，写入速度更是惊人地提升了1000倍，耐久性也提升了千倍。更令人惊叹的是，单颗芯片在约200平方毫米的面积上即可实现TB级的存储能力。除了强大的性能外，该芯片还具有结构简单、易于制造等优势，这无疑将进一步推动其在市场上的普及和应用。

行业观察家和分析师们对这款ReRAM芯片的未来充满期待。随着技术的不断进步和市场的需求增长，更先进的28纳米工艺ReRam芯片也计划在不久的将来问世，预计将在2017年上半年亮相。届时，这款芯片的性能和存储密度将再次实现突破，满足更多领域的需求。这一系列的进步不仅将推动存储技术的进步，也将为全球的电子产业带来深远的影响。