三星128GB单条 DDR4内存开始量产 竟然是3D的

在科技领域的三星，不断突破技术壁垒，持续引领行业发展。就在2014年8月底，三星电子宣布成功制造全球首款采用先进的3D TSV立体硅穿孔封装技术的DDR4内存条，这一技术的诞生，使得内存条的容量实现了质的飞跃，单条容量高达64GB，引发了业界轰动。时隔一年有余，三星再次展现强大实力，将其内存容量翻了一番，正式开启了量产128GB TSV DDR4内存条的全新篇章。

这款新的内存条，仍然专注于满足企业级服务器市场的需求，属于RDIMM类型条子。它的出色表现源于对细节的精妙处理，使用了高达144颗DDR4内芯片，每一颗芯片都拥有8Gb（即1GB）的容量。更为引人注目的是，每四颗芯片便利用先进的TSV技术紧密封装在一起，形成了总计36个组，这些组被均匀分布在内存条的两侧。如此精细的构造工艺，展现了三星在内存制造领域的超凡实力。

在制造工艺方面，这款内存条采用的是三星最先进的20nm制程技术。这种技术使得内存条的起步频率达到了惊人的2MHz，未来还将逐步提升到2667MHz、3200MHz，这无疑将大大提升内存的性能。这一切都得益于三星不断研发和创新的结果，其科技实力可见一斑。

不仅如此，三星还计划将TSV硅穿孔技术应用到HBM高带宽内存中。这一举措预示着未来三星将在内存技术领域取得更大的突破，不断推动行业向前发展。三星以其卓越的技术实力和不断的创新精神，不断挑战自我，不断超越极限，始终走在科技前沿。我们有理由相信，三星会给我们带来更多的惊喜和突破。